IXSQ20N60B2D1

IXSQ20N60B2D1

150.22 грн.

10 или более 147.22 грн.
100 или более 142.71 грн.
1000 или более 135.20 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXSQ20N60B2D1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 600V H.SPEED TO3P
Корпус
Корпус TO3P
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 190 Вт
Ток
Ток 20 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.5 В
Структура С диодом
Технология HIGH SPEED
Ток (макс.) 35 А (25°C)
Напряжение 600 В
datasheet