РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXH80N65B4D1
IXXH80N65B4D1
737.24 грн.
10 или более 728.81 грн.
100 или более 706.51 грн.
1000 или более 669.32 грн.
100 или более 706.51 грн.
1000 или более 669.32 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V XPT TO247
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 625 Вт |
| Ток | |
| Ток | 80 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.1 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 180 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |