РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXN110N65C4H1
IXXN110N65C4H1
2 082.78 грн.
10 или более 2 059.03 грн.
100 или более 1 996.00 грн.
1000 или более 1 890.95 грн.
100 или более 1 996.00 грн.
1000 или более 1 890.95 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 110A 650V XPT SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 750 Вт |
| Ток | |
| Ток | 110 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.35 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 210 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |