РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXN110N65C4H1
IXXN110N65C4H1
2204.00 грн.
10 или более 2178.86 грн.
100 или более 2112.17 грн.
1000 или более 2001.00 грн.
100 или более 2112.17 грн.
1000 или более 2001.00 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 110A 650V XPT SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 750 Вт |
| Ток | |
| Ток | 110 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.35 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 210 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |