IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1

971.18 грн.

10 или более 960.59 грн.
100 или более 931.19 грн.
1000 или более 882.18 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXXX110N65B4H1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT PLUS247
Корпус
Корпус PLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 880 Вт
Ток
Ток 110 А (100°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.1 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 240 А (25°C)
Напряжение 650 В
datasheet