РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXX110N65B4H1
IXXX110N65B4H1
917.76 грн.
10 или более 907.76 грн.
100 или более 879.98 грн.
1000 или более 833.66 грн.
100 или более 879.98 грн.
1000 или более 833.66 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT PLUS247
| Корпус | |
| Корпус | PLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 880 Вт |
| Ток | |
| Ток | 110 А (100°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.1 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 240 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |