IXYA8N90C3D1

IXYA8N90C3D1

288.71 грн.

10 или более 285.46 грн.
100 или более 276.72 грн.
1000 или более 262.16 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXYA8N90C3D1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 8A 900V XPT TO263(D2PAK)
Корпус
Корпус TO263 (D2PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 125 Вт
Ток
Ток 8 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.5 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 20 А (25°C)
Напряжение 900 В
datasheet