IXYB82N120C3H1

IXYB82N120C3H1

1814.17 грн.

10 или более 1765.32 грн.
100 или более 1711.28 грн.
1000 или более 1621.21 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXYB82N120C3H1
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 82A 1200V XPT PLUS264

Корпус
Корпус	PLUS264
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	1040 Вт
Ток
Ток	82 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	3.2 В
Структура	С диодом
Технология	XPT
Ток (макс.)	164 А (25°C)
Напряжение	1200 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969