РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYB82N120C3H1
IXYB82N120C3H1
1 950.02 грн.
10 или более 1 927.73 грн.
100 или более 1 868.72 грн.
1000 или более 1 770.36 грн.
100 или более 1 868.72 грн.
1000 или более 1 770.36 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 82A 1200V XPT PLUS264
| Корпус | |
| Корпус | PLUS264 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 1040 Вт |
| Ток | |
| Ток | 82 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 164 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |