IXYK100N65B3D1
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXYK100N65B3D1
816.50 грн.
10 или более 800.17 грн.
100 или более 775.68 грн.
1000 или более 734.85 грн.
100 или более 775.68 грн.
1000 или более 734.85 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 100A 650V XPT TO264
Корпус | |
Корпус | TO264 |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 830 Вт |
Ток | |
Ток | 100 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 25 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 1.85 В |
Структура | С диодом |
Технология | XPT |
Ток (макс.) | 225 А (25°C) |
Напряжение | 650 В |