РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYK100N65B3D1
IXYK100N65B3D1
947.72 грн.
10 или более 928.77 грн.
100 или более 900.34 грн.
1000 или более 852.95 грн.
100 или более 900.34 грн.
1000 или более 852.95 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 100A 650V XPT TO264
| Корпус | |
| Корпус | TO264 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 830 Вт |
| Ток | |
| Ток | 100 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.85 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 225 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |