РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYK120N120B3
IXYK120N120B3
1 611.12 грн.
10 или более 1 578.90 грн.
100 или более 1 530.56 грн.
1000 или более 1 450.01 грн.
100 или более 1 530.56 грн.
1000 или более 1 450.01 грн.
IGBT DIS.SINGLE 120A 1200V BIMOSFET TO264
| Корпус | |
| Корпус | TO264 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 1500 Вт |
| Ток | |
| Ток | 120 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
| Структура | Без диода |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 320 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |