IXYK120N120B3
IXYK120N120B3
1611.12 грн.
10 или более 1578.90 грн.
100 или более 1530.56 грн.
1000 или более 1450.01 грн.
100 или более 1530.56 грн.
1000 или более 1450.01 грн.
IGBT DIS.SINGLE 120A 1200V BIMOSFET TO264
Корпус | |
Корпус | TO264 |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 1500 Вт |
Ток | |
Ток | 120 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 25 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | Без диода |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 320 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |