IXYP20N65C3D1M

IXYP20N65C3D1M

237.31 грн.

10 или более 187.04 грн.
100 или более 187.04 грн.
1000 или более 187.04 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXYP20N65C3D1M
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 9A 650V XPT TO220AB
Корпус
Корпус TO220AB
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 50 Вт
Ток
Ток 9 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.5 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 18 А (25°C)
Напряжение 650 В
datasheet