РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYP20N65C3D1M
IXYP20N65C3D1M
190.76 грн.
10 или более 188.84 грн.
100 или более 183.05 грн.
1000 или более 173.42 грн.
100 или более 183.05 грн.
1000 или более 173.42 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 9A 650V XPT TO220AB
| Корпус | |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 50 Вт |
| Ток | |
| Ток | 9 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.5 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 18 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |