РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYQ40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1
474.67 грн.
10 или более 465.17 грн.
100 или более 450.93 грн.
1000 или более 427.20 грн.
100 или более 450.93 грн.
1000 или более 427.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 40A 650V XPT TO3P
| Корпус | |
| Корпус | TO3P |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 300 Вт |
| Ток | |
| Ток | 40 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 86 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |