LGD8209TI

64.76 грн.

10 или более 63.46 грн.
100 или более 61.52 грн.
1000 или более 58.28 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: LGD8209TI
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 445V N-CH IGNITION TO252
Корпус
Корпус TO252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 94 Вт
Ток
Ток 12 А (25°C)
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (лента на катушке)
Основные
Количество ключей 1
Структура С диодом
Технология N-CH IGNITION
Ток (макс.) 12 А (25°C)
Напряжение 445 В