РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG12200D-BN2MM
MG12200D-BN2MM
11522.66 грн.
10 или более 11391.36 грн.
100 или более 11042.64 грн.
1000 или более 10461.45 грн.
100 или более 11042.64 грн.
1000 или более 10461.45 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 200A 1200V D3 CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | D3 CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 1050 Вт |
| Ток | |
| Ток | 200 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 2 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 290 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |