MIEB101H1200EH

10 762.25 грн.

10 или более 10 639.51 грн.
100 или более 10 313.81 грн.
1000 или более 9 770.98 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MIEB101H1200EH
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 128A 1200V H BRIDGE E3PACK
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 630 Вт
Ток
Ток 128 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт.
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 1.8 В
Структура С диодом
Технология H BRIDGE
Ток (макс.) 183 А (25°C)
Напряжение 1200 В