MIEB76H1200EH

MIEB76H1200EH

5 811.17 грн.

10 или более 5 694.94 грн.
100 или более 5 520.61 грн.
1000 или более 5 230.05 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MIEB76H1200EH
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE FOUR 76A 1200V H BRIDGE E3PACK
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Ток
Ток 76 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 20 шт.
Основные
Количество ключей 4
Структура С диодом
Технология H BRIDGE
Ток (макс.) 76 А (25°C)
Напряжение 1200 В