MII145-12A3
MII145-12A3
6 102.79 грн.
10 или более 6 033.25 грн.
100 или более 5 848.56 грн.
1000 или более 5 540.75 грн.
100 или более 5 848.56 грн.
1000 или более 5 540.75 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 110A 1200V NPT Y4-M6
Корпус | |
Корпус | Y4-M6 |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 700 Вт |
Ток | |
Ток | 110 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 6 шт. |
Основные | |
Количество ключей | 2 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | С диодом |
Технология | NPT |
Ток (макс.) | 160 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |