MII75-12A3
MII75-12A3
4 305.02 грн.
10 или более 4 255.92 грн.
100 или более 4 125.64 грн.
1000 или более 3 908.50 грн.
100 или более 4 125.64 грн.
1000 или более 3 908.50 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 60A 1200V NPT Y4-M6
Корпус | |
Корпус | Y4-M6 |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 370 Вт |
Ток | |
Ток | 60 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 6 шт. |
Основные | |
Количество ключей | 2 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | С диодом |
Технология | NPT |
Ток (макс.) | 90 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |