MKI100-12F8
MKI100-12F8
14 307.85 грн.
10 или более 14 144.04 грн.
100 или более 13 711.06 грн.
1000 или более 12 989.42 грн.
100 или более 13 711.06 грн.
1000 или более 12 989.42 грн.
IGBT MOD.DIODE FOUR 85A 1200V H BRIDGE E3-PACK CHA
Корпус | |
Корпус | E3-PACK |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 640 Вт |
Ток | |
Ток | 85 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 5 шт. (коробка) |
Основные | |
Количество ключей | 4 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 3.3 В |
Структура | С диодом |
Технология | H BRIDGE |
Ток (макс.) | 125 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |