MKI100-12F8

13662.89 грн.

10 или более 12952.40 грн.
100 или более 12555.90 грн.
1000 или более 11895.06 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MKI100-12F8
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE FOUR 85A 1200V H BRIDGE E3-PACK CHA
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 640 Вт
Ток
Ток 85 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 4
Напряжение насыщения (К-Э) 3.3 В
Структура С диодом
Технология H BRIDGE
Ток (макс.) 125 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969