MWI100-12A8

16257.83 грн.

10 или более 15818.45 грн.
100 или более 15334.21 грн.
1000 или более 14527.15 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MWI100-12A8
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 110A 1200V SOA
Корпус
Корпус 62x122 мм
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 640 Вт
Ток
Ток 110 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт.
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 160 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969