MWI100-12A8
MWI100-12A8
17 473.43 грн.
10 или более 17 273.76 грн.
100 или более 16 744.97 грн.
1000 или более 15 863.66 грн.
100 или более 16 744.97 грн.
1000 или более 15 863.66 грн.
IGBT MOD.DIODE SIX 110A 1200V SOA
Корпус | |
Корпус | 62x122 мм |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 640 Вт |
Ток | |
Ток | 110 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 5 шт. |
Основные | |
Количество ключей | 6 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | С диодом |
Технология | SOA CAPABILITY |
Ток (макс.) | 160 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |