MWI50-12A7T

10 192.83 грн.

10 или более 10 076.11 грн.
100 или более 9 767.66 грн.
1000 или более 9 253.57 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MWI50-12A7T
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 60A 1200V SOA E2-PACK CHASSIS
Корпус
Корпус E2-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 350 Вт
Ток
Ток 60 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 6 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 85 А (25°C)
Напряжение 1200 В