MWI75-12A8

7902.19 грн.

10 или более 7811.75 грн.
100 или более 7572.61 грн.
1000 или более 7174.06 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MWI75-12A8
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 85A 1200V NPT
Корпус
Корпус 62x122 мм
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 500 Вт
Ток
Ток 85 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт.
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология NPT
Ток (макс.) 125 А (25°C)
Напряжение 1200 В