MWI80-12T6K

6 710.57 грн.

10 или более 6 634.25 грн.
100 или более 6 431.16 грн.
1000 или более 6 092.68 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MWI80-12T6K
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS
Корпус
Корпус E1-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 270 Вт
Ток
Ток 56 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 2 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 80 А (25°C)
Напряжение 1200 В