SI2308BDS-T1-GE3

32.52 грн.

10 или более 20.35 грн.
100 или более 19.73 грн.
1000 или более 18.69 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2308BDS-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.2A 60V N-CH SOT23 TRENCH SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 2.3 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.66 Вт
Сопротивление откр. канала 130 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 60 В