SI2308BDS-T1-GE3

32.52 грн.

10 або більше: 20.35 грн.
100 або більше: 19.73 грн.
1000 або більше: 18.69 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2308BDS-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.2A 60V N-CH SOT23 TRENCH SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 2.3 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 130 мОм
Потужність 1.66 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 60 В