SI2312CDS-T1-GE3

50.71 грн.

10 или более 34.22 грн.
100 или более 20.98 грн.
1000 или более 13.03 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2312CDS-T1-GE3
Доступно: 5039

Доступные опции

MOSFET DIS.6A 20V N-CH SOT23 SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 12 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.1 Вт
Сопротивление откр. канала 26.5 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В