SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

22.98 грн.

10 або більше: 14.21 грн.
100 або більше: 13.78 грн.
1000 або більше: 13.05 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2312CDS-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.6A 20V N-CH SOT23 SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 26.5 мОм
Потужність 2.1 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 12 нс
Напруга 20 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969