SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

62.10 грн.

10 или более 34.53 грн.
100 или более 25.58 грн.
1000 или более 17.74 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2319DDS-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.3.6A 40V P-CH SOT23 TRENCH SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 3.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.7 Вт
Сопротивление откр. канала 62 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В
datasheet