SI2319DDS-T1-GE3

55.12 грн.

10 або більше: 38.05 грн.
100 або більше: 24.66 грн.
1000 або більше: 16.85 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2319DDS-T1-GE3
Доступно: 1964

Доступні варіанти

MOSFET DIS.3.6A 40V P-CH SOT23 TRENCH SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 3.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 62 мОм
Потужність 1.7 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 40 В