SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

54.56 грн.

10 или более 37.19 грн.
100 или более 22.62 грн.
1000 или более 14.93 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2333DDS-T1-GE3
Доступно: 1

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.6A 12V P-CH SOT23
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 24 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.7 Вт
Сопротивление откр. канала 23 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 12 В
datasheet