SI2333DDS-T1-GE3

52.70 грн.

10 или более 35.99 грн.
100 или более 21.86 грн.
1000 или более 14.43 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2333DDS-T1-GE3
Доступно: 2260

Доступные опции

MOSFET DIS.6A 12V P-CH SOT23
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 24 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.7 Вт
Сопротивление откр. канала 23 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 12 В