SI2333DDS-T1-GE3

23.69 грн.

10 или более 16.65 грн.
100 или более 16.14 грн.
1000 или более 15.29 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2333DDS-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.6A 12V P-CH SOT23
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 24 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.7 Вт
Сопротивление откр. канала 23 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 12 В