SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

56.63 грн.

10 або більше: 38.59 грн.
100 або більше: 23.51 грн.
1000 або більше: 15.53 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2333DDS-T1-GE3
Доступно: 55

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.6A 12V P-CH SOT23
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 23 мОм
Потужність 1.7 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 24 нс
Напруга 12 В
datasheet