SI2333DDS-T1-GE3

52.70 грн.

10 або більше: 35.99 грн.
100 або більше: 21.86 грн.
1000 або більше: 14.43 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2333DDS-T1-GE3
Доступно: 2260

Доступні варіанти

MOSFET DIS.6A 12V P-CH SOT23
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 23 мОм
Потужність 1.7 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 24 нс
Напруга 12 В