SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
22.53 грн.
10 или более 45.70 грн.
100 или более 44.30 грн.
1000 или более 41.97 грн.
100 или более 44.30 грн.
1000 или более 41.97 грн.
MOSFET DIS.P-CH 30V 7.6A TO-236
Корпус | |
Корпус | SOT-23-3 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 7.6 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 15 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 2.5 Вт |
Сопротивление откр. канала | 24 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |