SI2369DS-T1-GE3

20.63 грн.

10 или более 41.85 грн.
100 или более 40.57 грн.
1000 или более 38.43 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2369DS-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.P-CH 30V 7.6A TO-236
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 7.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.5 Вт
Сопротивление откр. канала 24 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969