SI2369DS-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI2369DS-T1-GE3
20.63 грн.
10 або більше: 41.85 грн.
100 або більше: 40.57 грн.
1000 або більше: 38.43 грн.
100 або більше: 40.57 грн.
1000 або більше: 38.43 грн.
MOSFET DIS.P-CH 30V 7.6A TO-236
Корпус | |
Корпус | SOT-23-3 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 7.6 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 24 мОм |
Потужність | 2.5 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 15 нс |
Напруга | 30 В |