SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

59.14 грн.

10 або більше: 40.81 грн.
100 або більше: 25.21 грн.
1000 або більше: 16.04 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2369DS-T1-GE3
Доступно: 1027

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.P-CH 30V 7.6A TO-236
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 7.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 24 мОм
Потужність 2.5 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 30 В
datasheet