SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

60.62 грн.

10 или более 38.15 грн.
100 или более 25.95 грн.
1000 или более 19.00 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4178DY-T1-GE3
Доступно: 461

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET N-CHANNEL 30V 12A 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 5 Вт
Сопротивление откр. канала 17 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
datasheet