SI4178DY-T1-GE3

36.12 грн.

10 або більше: 43.81 грн.
100 або більше: 42.47 грн.
1000 або більше: 40.23 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4178DY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET N-CHANNEL 30V 12A 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 12 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 17 мОм
Потужність 5 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 30 В