SI4288DY-T1-GE3

81.00 грн.

10 или более 66.84 грн.
100 или более 64.80 грн.
1000 или более 61.39 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4288DY-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.9.2A 40V N-CH SOIC8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 9.2 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация двойной
Мощность 3.1 Вт
Сопротивление откр. канала 16.5 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В