SI4288DY-T1-GE3

81.00 грн.

10 або більше: 66.84 грн.
100 або більше: 64.80 грн.
1000 або більше: 61.39 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4288DY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.9.2A 40V N-CH SOIC8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 9.2 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 16.5 мОм
Потужність 3.1 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 40 В