РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3
58.72 грн.
10 или более 57.55 грн.
100 или более 55.79 грн.
1000 или более 52.85 грн.
100 или более 55.79 грн.
1000 или более 52.85 грн.
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 26.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 42 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 6.6 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 5.1 мОм |
| Структура | P-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 20 В |