РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI4477DY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4477DY-T1-GE3
50.82 грн.
10 или более 49.80 грн.
100 или более 48.28 грн.
1000 или более 45.74 грн.
100 или более 48.28 грн.
1000 или более 45.74 грн.
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 26.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 42 нс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 6.6 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 5.1 мОм |
| Структура | P-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 20 В |