SI4477DY-T1-GE3

55.49 грн.

10 или более 54.39 грн.
100 или более 52.72 грн.
1000 или более 49.95 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4477DY-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 26.6 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 42 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 6.6 Вт
Сопротивление откр. канала 5.1 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В