РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
SI4477DY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4477DY-T1-GE3
50.82 грн.
10 або більше: 49.80 грн.
100 або більше: 48.28 грн.
1000 або більше: 45.74 грн.
100 або більше: 48.28 грн.
1000 або більше: 45.74 грн.
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 26.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | одиночний |
| Опір відкр. каналу | 5.1 мОм |
| Потужність | 6.6 Вт |
| Структура | P-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 42 нс |
| Напруга | 20 В |