SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3
55.49 грн.
10 або більше: 54.39 грн.
100 або більше: 52.72 грн.
1000 або більше: 49.95 грн.
100 або більше: 52.72 грн.
1000 або більше: 49.95 грн.
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 26.6 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 5.1 мОм |
Потужність | 6.6 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 42 нс |
Напруга | 20 В |