SI4477DY-T1-GE3

55.49 грн.

10 або більше: 54.39 грн.
100 або більше: 52.72 грн.
1000 або більше: 49.95 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4477DY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.26.6A 20V P-CH SOIC8 SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 26.6 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 5.1 мОм
Потужність 6.6 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 42 нс
Напруга 20 В