РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
58.32 грн.
10 или более 57.15 грн.
100 или более 55.40 грн.
1000 или более 52.49 грн.
100 или более 55.40 грн.
1000 или более 52.49 грн.
MOSFET DIS.7.2A 20V N/P-CH SO8
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 7.2/4.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 50/40 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 1.1 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 11.5/22 мОм |
| Структура | N/P-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 20 В |