РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
58.32 грн.
10 або більше: 57.15 грн.
100 або більше: 55.40 грн.
1000 або більше: 52.49 грн.
100 або більше: 55.40 грн.
1000 або більше: 52.49 грн.
MOSFET DIS.7.2A 20V N/P-CH SO8
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 7.2/4.6 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний |
| Опір відкр. каналу | 11.5/22 мОм |
| Потужність | 1.1 Вт |
| Структура | N/P-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 50/40 нс |
| Напруга | 20 В |