РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI4816BDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4816BDY-T1-GE3
82.26 грн.
10 или более 80.61 грн.
100 или более 78.15 грн.
1000 или более 74.03 грн.
100 или более 78.15 грн.
1000 или более 74.03 грн.
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 5.8/8.2 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 20/25 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 1/1.25 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 15.5/9.3 мОм |
| Структура | N-канал |
| Технология | LITTLE FOOT |
| Напряжение | 30 В |