SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3
89.83 грн.
10 або більше: 88.03 грн.
100 або більше: 85.34 грн.
1000 або більше: 80.84 грн.
100 або більше: 85.34 грн.
1000 або більше: 80.84 грн.
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 5.8/8.2 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 15.5/9.3 мОм |
Потужність | 1/1.25 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | LITTLE FOOT |
Час відновлення | 20/25 нс |
Напруга | 30 В |