SI4816BDY-T1-GE3
  
  	
  	       		
  			
			    			    			    
			    
			     
			     
			            
			       	        			       	        			       	        			       	        
			       	        
			       
			       			      
			      
			      
			     
			     
			     
			     			      
			      		    	
		    
    	
    	
    	    
  
  
    
    
    
    
            
        
  
  
  
            
    
    
 
 
 
 
 
							SI4816BDY-T1-GE3
			       	        			       	        89.83 грн.
			       	        			              
			              
			              
			       	        	
			       	          			       	          10 або більше: 88.03 грн.
100 або більше: 85.34 грн.
1000 або більше: 80.84 грн.
			       	          			       	        
			       	        			              100 або більше: 85.34 грн.
1000 або більше: 80.84 грн.
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
    | Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 | 
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT | 
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C | 
| Струм | |
| Струм | 5.8/8.2 А | 
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) | 
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний | 
| Опір відкр. каналу | 15.5/9.3 мОм | 
| Потужність | 1/1.25 Вт | 
| Структура | N-канал | 
| Технологія | LITTLE FOOT | 
| Час відновлення | 20/25 нс | 
| Напруга | 30 В | 
 РУС
                    РУС УКР
                    УКР







