РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
SI4816BDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4816BDY-T1-GE3
82.26 грн.
10 або більше: 80.61 грн.
100 або більше: 78.15 грн.
1000 або більше: 74.03 грн.
100 або більше: 78.15 грн.
1000 або більше: 74.03 грн.
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 5.8/8.2 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний |
| Опір відкр. каналу | 15.5/9.3 мОм |
| Потужність | 1/1.25 Вт |
| Структура | N-канал |
| Технологія | LITTLE FOOT |
| Час відновлення | 20/25 нс |
| Напруга | 30 В |