SI4816BDY-T1-GE3

89.83 грн.

10 або більше: 88.03 грн.
100 або більше: 85.34 грн.
1000 або більше: 80.84 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4816BDY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 5.8/8.2 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 15.5/9.3 мОм
Потужність 1/1.25 Вт
Структура N-канал
Технологія LITTLE FOOT
Час відновлення 20/25 нс
Напруга 30 В