SI4914BDY-T1-GE3

15.90 грн.

10 или более 15.58 грн.
100 или более 15.11 грн.
1000 или более 14.31 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4914BDY-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.8.4A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 8.4/8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 35/21 нс
Конфигурация двойной
Мощность 2 Вт
Сопротивление откр. канала 16.5/15.5 мОм
Структура N-канал
Технология LITTLE FOOT
Напряжение 30 В