SI4914BDY-T1-GE3
SI4914BDY-T1-GE3
15.90 грн.
10 или более 15.58 грн.
100 или более 15.11 грн.
1000 или более 14.31 грн.
100 или более 15.11 грн.
1000 или более 14.31 грн.
MOSFET DIS.8.4A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 8.4/8 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 35/21 нс |
Конфигурация | двойной |
Мощность | 2 Вт |
Сопротивление откр. канала | 16.5/15.5 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | LITTLE FOOT |
Напряжение | 30 В |