SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

14.56 грн.

10 або більше: 14.27 грн.
100 або більше: 13.83 грн.
1000 або більше: 13.10 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4914BDY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.4A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.4/8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 16.5/15.5 мОм
Потужність 2 Вт
Структура N-канал
Технологія LITTLE FOOT
Час відновлення 35/21 нс
Напруга 30 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969