SI4914BDY-T1-GE3

15.90 грн.

10 або більше: 15.58 грн.
100 або більше: 15.11 грн.
1000 або більше: 14.31 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4914BDY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.4A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.4/8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 16.5/15.5 мОм
Потужність 2 Вт
Структура N-канал
Технологія LITTLE FOOT
Час відновлення 35/21 нс
Напруга 30 В