SI4914BDY-T1-GE3
SI4914BDY-T1-GE3
15.90 грн.
10 або більше: 15.58 грн.
100 або більше: 15.11 грн.
1000 або більше: 14.31 грн.
100 або більше: 15.11 грн.
1000 або більше: 14.31 грн.
MOSFET DIS.8.4A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 8.4/8 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 16.5/15.5 мОм |
Потужність | 2 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | LITTLE FOOT |
Час відновлення | 35/21 нс |
Напруга | 30 В |