РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3
54.51 грн.
10 или более 55.09 грн.
100 или более 53.40 грн.
1000 или более 50.59 грн.
100 или более 53.40 грн.
1000 или более 50.59 грн.
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 8 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основные | |
| Время восстановления | 34 нс |
| Конфигурация | двойной |
| Мощность | 5 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 24 мОм |
| Структура | P-канал |
| Технология | TRENCH FET |
| Напряжение | 30 В |