SI4925DDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4925DDY-T1-GE3
49.92 грн.
10 или более 50.45 грн.
100 или более 48.90 грн.
1000 или более 46.33 грн.
100 или более 48.90 грн.
1000 или более 46.33 грн.
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 8 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 34 нс |
Конфигурация | двойной |
Мощность | 5 Вт |
Сопротивление откр. канала | 24 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 30 В |