SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

111.72 грн.

10 или более 76.99 грн.
100 или более 49.02 грн.
1000 или более 30.84 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4925DDY-T1-GE3
Доступно: 1202

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 34 нс
Конфигурация двойной
Мощность 5 Вт
Сопротивление откр. канала 24 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
datasheet