РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3
54.51 грн.
10 або більше: 55.09 грн.
100 або більше: 53.40 грн.
1000 або більше: 50.59 грн.
100 або більше: 53.40 грн.
1000 або більше: 50.59 грн.
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
| Корпус | |
| Корпус | SOIC-8 |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C~+150°C |
| Струм | |
| Струм | 8 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
| Основні | |
| Конфігурація | подвійний |
| Опір відкр. каналу | 24 мОм |
| Потужність | 5 Вт |
| Структура | P-канал |
| Технологія | TRENCH FET |
| Час відновлення | 34 нс |
| Напруга | 30 В |