SI4925DDY-T1-GE3
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
SI4925DDY-T1-GE3
49.92 грн.
10 або більше: 50.45 грн.
100 або більше: 48.90 грн.
1000 або більше: 46.33 грн.
100 або більше: 48.90 грн.
1000 або більше: 46.33 грн.
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 8 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 24 мОм |
Потужність | 5 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 34 нс |
Напруга | 30 В |