SI4925DDY-T1-GE3

49.92 грн.

10 або більше: 50.45 грн.
100 або більше: 48.90 грн.
1000 або більше: 46.33 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI4925DDY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8A 30V 2P-CH SOIC8 SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 24 мОм
Потужність 5 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 34 нс
Напруга 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969