SI5419DU-T1-GE3

37.21 грн.

10 или более 30.61 грн.
100 или более 29.67 грн.
1000 или более 28.11 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI5419DU-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.12A 30V P-CH PPACK CHIP TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK ChipFET
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -50°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 25 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 31 Вт
Сопротивление откр. канала 16 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В