SI5419DU-T1-GE3

37.21 грн.

10 або більше: 30.61 грн.
100 або більше: 29.67 грн.
1000 або більше: 28.11 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI5419DU-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.12A 30V P-CH PPACK CHIP TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK ChipFET
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -50°C~+150°C
Струм
Струм 12 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 16 мОм
Потужність 31 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 25 нс
Напруга 30 В