SI7123DN-T1-GE3

39.49 грн.

10 или более 38.70 грн.
100 или более 37.51 грн.
1000 или более 35.54 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7123DN-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.10.2A 20V P-CH 1212-8 SMT VISHAY
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 10.2 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 48 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.5 Вт
Сопротивление откр. канала 8.6 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В