SI7123DN-T1-GE3
SI7123DN-T1-GE3
39.49 грн.
10 или более 38.70 грн.
100 или более 37.51 грн.
1000 или более 35.54 грн.
100 или более 37.51 грн.
1000 или более 35.54 грн.
MOSFET DIS.10.2A 20V P-CH 1212-8 SMT VISHAY
Корпус | |
Корпус | PowerPAK-1212-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 10.2 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 48 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 1.5 Вт |
Сопротивление откр. канала | 8.6 мОм |
Структура | P-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 20 В |