SI7123DN-T1-GE3

39.49 грн.

10 або більше: 38.70 грн.
100 або більше: 37.51 грн.
1000 або більше: 35.54 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7123DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.10.2A 20V P-CH 1212-8 SMT VISHAY
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 10.2 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 8.6 мОм
Потужність 1.5 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 48 нс
Напруга 20 В