SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

36.16 грн.

10 або більше: 35.44 грн.
100 або більше: 34.35 грн.
1000 або більше: 32.55 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7123DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.10.2A 20V P-CH 1212-8 SMT VISHAY
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 10.2 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 8.6 мОм
Потужність 1.5 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 48 нс
Напруга 20 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969