SI7123DN-T1-GE3
SI7123DN-T1-GE3
39.49 грн.
10 або більше: 38.70 грн.
100 або більше: 37.51 грн.
1000 або більше: 35.54 грн.
100 або більше: 37.51 грн.
1000 або більше: 35.54 грн.
MOSFET DIS.10.2A 20V P-CH 1212-8 SMT VISHAY
Корпус | |
Корпус | PowerPAK-1212-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 10.2 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 8.6 мОм |
Потужність | 1.5 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 48 нс |
Напруга | 20 В |