SI7135DP-T1-GE3

84.07 грн.

10 или более 82.39 грн.
100 или более 79.87 грн.
1000 или более 75.67 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7135DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.60A 30V PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 50 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 104 Вт
Сопротивление откр. канала 3.2 мОм
Структура P-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969